BRUKER低温红外硅材料中C、O及B、P等的检测
在半导体生产过程中的质量控制领域，硅材料中 C、O 及B、P 等杂质分析是一个非常关注的课题。布鲁
克公司可根据具体的应用要求，为使用者提供一系列的仪器配置与分析方法。下面对此作一简要的介绍：
1. 此类分析方法的基本情况描述
早在上个世纪的八十年代初，布鲁克公司就已经根据这方面的应用需求开始着力进行硅材料(单晶和多晶)
中C、O 及B、P、As……等杂质含量方法及仪器配置的研究与发展。经过二十多年的不断完善与发展，特
别是通过国内外诸多相关企业的应用实践，我们已经形成了一整套不同工作原理、不同分析手段、不同应
用条件、适应多种应用要求的系列解决方案，并可根据使用者的具体情况灵活加以配置。对于上述所提及
的含量分析，最低可检测的浓度可达几个ppta 的水平。到目前为止，世界上和国内的多家大型半导体生产
企业和研究单位分别采用了我们提供的不同的解决方案，如Hemlok、Wacker Chemie、MEMC、LG、浙
大硅材料国家重点实验室、及国内的一批多晶硅生产企业(名略)，……等等。
2. 几种可能的配置方案
我们知道，B、P 等杂质的吸收特征主要分别出现在319cm-1 和316cm-1 附近(如图3)，它们属于远红外区
域。您已经知道，在远红外区域密布着H2O 和CO2 的吸收峰(如图1，图中最右侧区域为远红外区域)。这
些吸收峰不仅分布密度很高，且其吸收强度还随着样品附近的环境的变化而随时变化，而我们需要检测的
B、P 等杂质吸收又非常弱，这样就出现了两种情况：1)水的吸收太强了就会淹没我们要测的有用的信号；
2)如果水等干扰的强度不断地变化，就没有办法确定杂质的含量。
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