Agilent-7500系列ICP-MS的高基体样品引入（HMI）附件的性能特点

仪器资料 · 发表于 2017-6-19 15:10:12

引言
高基体样品中多种痕量元素的测定一直是一个困难的
分析挑战。ICP 光学发射光谱（OES）具有优良的基
体承受能力和多元素同时分析能力，但灵敏度不足，
而且易受到复杂的光谱干扰。ICP-MS 具有难以逾越
的灵敏度和较少的干扰，但对可溶固体含量必须限制
到大约0.1% 或更低。
我们将ICP-MS（以及ICP-OES）的稳定性和其它性
能对于高溶解固体的耐受能力定义为“耐用性”。在
ICP-MS 中，这种耐用性是通过测量调谐的CeO+/Ce+
比值来评价的，CeO+/Ce+ 比值越低意味着该等离子体
越耐用。
安捷伦最先研发了许多新技术以改善其耐用性，包括
一种最优化的低流速样品引入系统，该系统的炬管内
径较宽（2.5 mm），采用数字驱动的27 MHz 射频发
Agilent 7500 系列ICP-MS 的高基体样品引入
（HMI）附件的性能特点
产品概述
生器。这些创新技术使Agilent 7500 八极杆反应池系
统（ORS）比其他任何ICP-MS 都具有更好的高基体
样品分析性能，CeO+/Ce+ 比值大约1%，而其他仪器
一般是2%-3%。不过，即使拥有这些创新技术，但为
了获得最佳的稳定性，仍需限制总溶解固体（TDS）。
一般来讲，这意味着样品的稀释会随之带来一些缺点，
包括检出限变差，样品污染的可能性增加，制备时间
增加以及废液体积增加等。
为了避免常规稀释法的这些缺点，安捷伦研发了一种
处理高基体样品的新技术：“气溶胶稀释法”。这种新
的高基体引入（HMI）附件将Agilent 7500 ORS 已
有的良好耐受性与气溶胶稀释方法相结合，使7500
ORS 能够直接分析1% 的TDS 样品（或更高，取决于
基体），消除了稀释步骤及其相应缺点。等离子体的
耐受性比常规的ICP-MS 得到显著改善（CeO+/Ce+ 降
到0.2%），大大减少了基体的抑制效应，使得ICPMS
对高基体样品的分析结果比以往更为可靠和准确。

HMI 的工作原理
7500 ORS/HMI 将7500 ORS ICP-MS 已有的耐用性
和在线的气溶胶稀释相结合，实时减少了ICP 接口处
的基体和溶剂浓度，而不必采用常规的稀释法。这样
做的好处是既获得了稀释法的优点，又避免了其大部
分的缺点。基体抑制几乎被消除，而CeO+/Ce+ 降到
前所未有的最低水平。HMI 硬件由一套改进的炬管组
成，在雾室和炬管之间插入一路稀释气（图1）。雾
化器流量被减少，样品气溶胶的量减少了，加入的稀
释气体维持了进入炬管的总载气流量。吸入的样品溶
液可能是1% 或更高的TDS，但由于气溶胶的产生大
大减少，所以等离子体不会因过量的样品基体而超载。
相对于常规的稀释法，气溶胶稀释法的好处是水或其
它的溶剂同时也被稀释，因此获得了温度高得多，更
稳定的等离子体。这种耐用性的增强是改善ICP-MS
对基体特别高和多种基体的样品准确进行常规分析的
关键所在。

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