半导体器件物理与工艺 第三版 施敏等著
《半导体器件物理与工艺（第3版）》以15章篇幅介绍了现代半导体器件的物理原理和其先进的制造工艺技术。《半导体器件物理与工艺（第3版）》可以作为应用物理、电机工程、电子工程和材料科学领域的本科学生的教材，也可以作为研究生、工程师、科学家们了解*器件和工艺技术发展的参考资料。
第0章 引言
0.1 半导体器件
0.2 半导体工艺技术
总结
参考文献
第1部分 半导体物理
第1章 能带和热平衡载流子浓度
1.1 半导体材料
1.2 基本晶体结构
1.3 共价键
1.4 能带
1.5 本征载流子浓度
1.6 施主与受主
总结
参考文献
习题
第2章 载流子输运现象
2.1 载流子漂移
2.2 载流子扩散
2.3 产生与复合过程
2.4 连续性方程
2.5 热离化发射过程
2.6 隧穿过程
2.7 空间电荷效应
2.8 强电场效应
总结
参考文献
习题
第2部分 半导体器件
第3章 p-n结
3.1 热平衡状态
3.2 耗尽区
3.3 耗尽电容
3.4 电流-电压特性
3.5 电荷存储与瞬态响应
3.6 结击穿
3.7 异质结
总结
参考文献
习题
第4章 双极型晶体管及相关器件
4.1 晶体管的工作原理
4.2 双极型晶体管的静态特性
4.3 双极型晶体管的频率响应与开关特性
4.4 非理想效应
4.5 异质结双极型晶体管
4.6 可控硅器件及相关功率器件
总结
参考文献
习题
第5章 MOS电容器及MOSFET
5.1 理想的MOS电容器
5.2 SiO2-Si MOS电容器
5.3 Mos电容器中的载流子输运
5.4 电荷耦合器件
5.5 MOSFET基本原理
总结
参考文献
习题
第6章 先进的MOSFET及相关器件
6.1 MOSFET按比例缩小
6.2 CMOS与BiCMOS
6.3 绝缘层上MOSFET（SOI器件）
6.4 MOs存储器结构
6.5 功率MOSFET
总结
参考文献
习题
第7章 MESFET及相关器件
7.1 金属-半导体接触
7.2 金半场效应晶体管（MESFET）
7.3 调制掺杂场效应晶体管（MODFET）
总结
参考文献
习题
第8章 微波二极管、量子效应和热电子器件
8.1 微波频段
8.2 隧道二极管
8.3 碰撞离化雪崩渡越时间二极管
8.4 转移电子器件
8.5 量子效应器件
8.6 热电子器件
总结
参考文献
习题
第9章 发光二极管和激光器
9.1 辐射跃迁和光吸收
9.2 发光二极管
9.3 发光二极管种类
9.4 半导体激光器
总结
参考文献
习题
第10章 光电探测器和太阳能电池
10.1 光电探测器
10.2 太阳能电池
10.3 硅及化合物半导体太阳能电池
10.4 第三代太阳能电池
10.5 聚光
总结
参考文献
习题
第3部分 半导体工艺
第11章 晶体生长和外延
11.1 融体中单晶硅的生长
11.2 硅的悬浮区熔工艺
11.3 砷化镓晶体的生长技术
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